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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Kingston HX316C10F/4 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Kingston HX316C10F/4 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
67
En 55% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.6
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.8
5.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston HX316C10F/4 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
8500
En 1.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
30
67
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
6.3
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
5.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
12800
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
1247
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Kingston HX316C10F/4 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
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