RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
33
En 9% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
33
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
3286
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link