RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
30
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.8
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
29
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
12.8
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
2601
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link