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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
35
En 14% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
35
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
2841
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
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