RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
96
En 69% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.6
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.8
4.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
96
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
6.8
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
4.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
992
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link