RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
30
En -25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
24
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
2946
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link