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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
59
En 49% menor latencia
Razones a tener en cuenta
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.1
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
8500
En 2.75 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
59
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
23400
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
2382
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
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