RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
33
En 9% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
8500
En 3.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
33
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
25600
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
2987
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link