RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
30
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.1
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
23
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
2388
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link