RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
41
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.6
11.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
27
Velocidad de lectura, GB/s
11.1
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1348
2418
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link