RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
41
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
11.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
27
Prędkość odczytu, GB/s
11.1
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1348
2418
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link