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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
41
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
11.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
31
Velocidad de lectura, GB/s
11.1
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1348
2330
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR3 2600 2OZ 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
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