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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
73
En -161% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
3501
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Mushkin 994083 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
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