RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
45
En 9% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
11.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
45
Velocidad de lectura, GB/s
11.1
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1348
3102
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link