RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
45
Intorno 9% latenza inferiore
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
11.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
45
Velocità di lettura, GB/s
11.1
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1348
3102
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Segnala un bug
×
Bug description
Source link