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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
41
En -71% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
11.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
24
Velocidad de lectura, GB/s
11.1
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1348
3049
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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