RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Compara
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Puntuación global
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
54
En -46% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
1,308.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
37
Velocidad de lectura, GB/s
3,573.5
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,308.1
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
371
2780
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link