RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
54
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2780
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Elpida EBJ21EE8BDFA-DJ-F 2GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link