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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Compara
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.6
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
3.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
38
Velocidad de lectura, GB/s
7.2
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
3.0
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
915
2853
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
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