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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Compara
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
38
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
3.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
31
Velocidad de lectura, GB/s
7.2
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
3.0
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
915
2817
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
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