RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Comparez
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Note globale
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
38
Autour de -23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.9
3.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
31
Vitesse de lecture, GB/s
7.2
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
3.0
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
915
2817
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link