RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Compara
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
38
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.8
3.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
35
Velocidad de lectura, GB/s
7.2
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
3.0
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
915
2091
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link