RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Compara
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
48
En 44% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
11
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
48
Velocidad de lectura, GB/s
11.0
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1581
2196
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link