RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Comparez
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Note globale
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
48
Autour de 44% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
11
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
48
Vitesse de lecture, GB/s
11.0
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1581
2196
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link