RAM-Vergleich Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Gesamtnote

Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

27 48

Rund um 44% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

17.5 11

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

8.3 8.0

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

25600 12800

Rund um 2 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1581 2196

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns