RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Porównaj
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
48
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
11
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
48
Prędkość odczytu, GB/s
11.0
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1581
2196
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link