RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
86
Wokół strony 55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
86
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2322
1658
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Porównanie pamięci RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link