RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
43
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
4065
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link