RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Panram International Corporation M424051 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation M424051 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
77
97
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation M424051 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.5
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
97
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
5.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
1270
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2L16BC8R2-B0XS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link