RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Porównaj
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Wynik ogólny
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
31
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
26
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1990
3692
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Porównanie pamięci RAM
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link