RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
96
Wokół strony -153% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
38
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2073
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link