RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
38
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
38
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
2073
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB
Samsung M395T5750CZ4-CE61 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Inmos + 256MB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link