RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
63
Wokół strony -142% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2806
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link