RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
63
Около -142% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.7
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
17.4
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2806
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO8GX3M2C1600C11 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link