SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB против Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    36 left arrow 58
    Около 38% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    10.1 left arrow 9.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 19200
    Около 1.11% выше полоса пропускания
  • Выше скорость чтения
    18.5 left arrow 15
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    36 left arrow 58
  • Скорость чтения, Гб/сек
    15.0 left arrow 18.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    10.1 left arrow 9.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    21300 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2657 left arrow 1998
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения