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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
58
左右 38% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.1
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.5
15
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
58
读取速度,GB/s
15.0
18.5
写入速度,GB/s
10.1
9.5
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
1998
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
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