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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Compara
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
38
En -65% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
3.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
23
Velocidad de lectura, GB/s
7.2
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
3.0
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
915
2962
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
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