RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Porównaj
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
38
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
7.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
3.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
23
Prędkość odczytu, GB/s
7.2
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
3.0
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
915
2962
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link