RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
10600
Wokół strony 2.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
23400
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
3245
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Inmos + 256MB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link