RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
36
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
16
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
36
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2876
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
INTENSO M418039 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link