RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
11.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2876
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YH9 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS8G3D1609DS1S00. 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link