RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Compara
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
38
En -111% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.3
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
3.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
18
Velocidad de lectura, GB/s
7.2
20.3
Velocidad de escritura, GB/s
3.0
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
915
3431
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link