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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Puntuación global
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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Razones a tener en cuenta
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
38
En -31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
3.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
29
Velocidad de lectura, GB/s
7.2
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
3.0
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
915
2968
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Inmos + 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
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