RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Compara
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
38
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
3.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
27
Velocidad de lectura, GB/s
7.2
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
3.0
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
915
3033
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link