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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
38
Por volta de -41% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
7.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
3.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
27
Velocidade de leitura, GB/s
7.2
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
3.0
13.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
915
3033
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
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