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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Compara
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Puntuación global
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
66
En 42% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
3.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
66
Velocidad de lectura, GB/s
7.2
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
3.0
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
915
1953
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
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