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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Confronto
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Punteggio complessivo
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
66
Intorno 42% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
7.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
3.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
66
Velocità di lettura, GB/s
7.2
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
3.0
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
915
1953
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
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