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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Compara
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Puntuación global
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
48
En 21% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
3.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
48
Velocidad de lectura, GB/s
7.2
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
3.0
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
915
2220
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
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Kingston 9905678-023.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
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