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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
比较
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
总分
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
总分
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
48
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.5
7.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
3.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
48
读取速度,GB/s
7.2
14.5
写入速度,GB/s
3.0
11.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
915
2220
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
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