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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Compara
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
38
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
3.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
37
Velocidad de lectura, GB/s
7.2
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
3.0
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
915
2698
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
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